Влияние электромагнитного излучения на магнитотранспортные свойства структур Fe/SiO2/Si на постоянном токе
Получен в рамках Базового проекта II.9.1.1.
|
|
В устройстве выполненном на основе структуры Fe/SiO2/p-Si было обнаружено гигантское изменение фотопроводимости при приложении магнитного поля. Проводимость может изменяться более чем в 25 раз в магнитном поле величиной в 1 Т. Основной механизм влияния магнитного поля на проводимость сводится к действию сил Лоренца, которые изменяют траектории фотогенерированных носителей заряда, тем самым изменяя скорость их рекомбинации. |
N.V. Volkov, at el. // JMMM V. 383, pp. 69–72 (2015).
N.V. Volkov at el. // Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques V. 9(5), pp. 984-994 (2015).