Концентрационная зависимость электронной структуры ВТСП купратов
Рассчитана концентрационная зависимость электронной структуры ВТСП купратов
В рамках обобщенного метода сильной связи (ОМСС), развитого авторами для сильно коррелированных систем, рассчитана концентрационная зависимость электронной структуры ВТСП купратов как при дырочном допировании, так и при электронном. Химпотенциал в дырочных купратах (правая часть рисунка) пиннингован в окрестности узкой зоны внутрищелевых состояний вплоть до оптимального допирования, а в электронных (левая часть рисунка) немонотонным образом зависит от концентрации. Концентрационные зависимости электронной структуры и химпотенциала совпадают с экспериментальными данными ARPES. Для описания магнитного механизма спаривания получен эффективный гамильтониан синглет-триплетной t-J модели, параметры которого хорошо согласуются с параметрами (перескоки и обменный интеграл) t-J модели, полученными из первопринципных расчетов.
- А.А. Борисов, В.А. Гавричков, и С.Г. Овчинников, Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в обобщенном методе сильной связи. ЖЭТФ, 124, 862-870 (2003).
- В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников. Зонная структура купратных сверхпроводников n- типа с T'(T)- структурой при учете сильных электронных корреляций. ЖЭТФ, 125, №3 (2004).